2024欢迎访问##松原GDB-V3U4183三相电压变送器厂家

◆  规格说明：

产品规格

8*8

产品数量

包装说明

卖家

价格说明

电议

◆  产品说明：

2024欢迎访问##松原GDB-V3U4183三相电压变送器厂家
湖南盈能电力科技有限公司，专业仪器仪表及自动化控制设备等。电力电子元器件、高低压电器、电力金具、电线电缆技术研发；防雷装置检测；仪器仪表，研发；消防设备及器材、通讯终端设备；通用仪器仪表、电力电子元器件、高低压电器、电力金具、建筑材料、水暖器材、压力管道及配件、工业自动化设备销；自营和各类商品及技术的进出口。
的产品、的服务、的信誉，承蒙广大客户多年来对我公司的关注、支持和参与，才铸就了湖南盈能电力科技有限公司在电力、石油、化工、铁道、冶金、公用事业等诸多领域取得的辉煌业绩，希望在今后一如既往地得到贵单位的鼎力支持，共同创更加辉煌的明天！
RS-485接口的传输距离标准值为4000英尺，实际上可达3000米，另外RS-232-C接口在总线上只允许连接1个收发器，即单站能力。而RS-485接口在总线上是允许连接多达128个收发器。即具有多站能力,这样用户可以利用单一的RS-485接口方便地建立起设备网络。但RS-485总线上任何时候只能有一发送器发送。因RS-485接口具有良好的抗噪声干扰性，长的传输距离和多站能力等上述优点就使其成为的串行接口。
工业4.0时代，智能化已成为衡量城市发展水平的重要因素，建设智慧城市是未来城市发展的一个共同目标。随着世界经济与科学技术的高速发展，城市对清洁、、经济、安全的电力能源的需求日趋加剧。在智慧城市的诸多建设工程中，智能电网也成为关键项目之一。随着我国坚强智能电网建设的快速推进，智能电网在确保城市用电安全可靠、促进城市绿色发展、提升城市网络通信能力、拉动城市相关产业发展以及丰富城市服务内涵等方面对城市智能化发挥了巨大的推动作用。
由于采样电阻本身阻值非常小，如果直接读电源端的电压值会有导线引起的线损值导致误差，所以一般是需要用高精度DVM表再去量测采样电阻两端的电压值。IT64高精度双极性直流电源，在供电输出的同时也具有DVM的量测功能，可以如下图所示连接测试，完成采样电阻标定。用户选择一台IT6411S达成了高性价比的源表功能。图： 系列直流电源了丰富的电能基础测量功能，内置了高精度的DVM数字电压表用来量测外部电压，显示分辨率高达1mV。
为什么经验老道的工程师都要在测试前调整一下探头的档位呢？不同档位除了输入阻抗、带宽、上升时间等不同之外，还有个很重要的参数是输入电容，它对于被测信号究竟有多大的影响？探头的输入电容对于高频信号有很大的影响，信号频率越高，影响也就越大，具体有何影响呢？探头负载效应简单来说，探头的负载效应就是在用探头测电路中的其中两点的波形时，在两个测试点中接入了一个负载，而这个负载的大小，会直接影响电路的状态，造成测量结果的不正确性。
为了使用于LED供电电源设计的每分钱都充分发挥作用，我们在本文中提出了一个方案——封闭实际光输出的控制回路。半导体照明这一新兴领域的出现，使同时专长于电力电子学、光学和热管理学(机械工程)这三个领域的工程师成为抢手人才。目前，在三个领域都富有经验的工程师并不很多，而这通常意味着系统工程师或者整体产品工程师的背景要和这三大领域相关，同时他们还需尽可能与其他领域的工程师协作。系统工程师常常会把自己原领域养成的习惯或积累的经验带入设计工作中，这和一个主要研究数位系统的电子工程师转去解决电源管理问题时所遇到的情况相同：他们可能依靠单纯的模拟，不在试验台上对电源测试就直接在电路板上布线，因为他们没有认识到：关稳压器需要仔细检查电路板布局；另外，如果没有经过试验台测试，实际的工作情况很难与模拟一致。
泰克科技公司日前宣布，为Keithley4200A-SCS参数分析仪推出两款源测量单元(SMU)模块，即使在由于长电缆和复杂的测试设置而产生高负载电容时，其仍能执行低电流测量。许多主要测试应用都面临着这一挑战，如LCD显示器和卡盘上的纳米FET器件测试。在被测器件本身电容很小的情况下，许多低电流测量应用中所需要的测试设置也会增加SMU输出端的电容。当测试连接电容太大时， 终的低电流测量结果可能会变得不稳定。
LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。