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  • 公司名称:湖南盈能电力科技有限公司(未认证,交易需谨慎)
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湖南盈能电力科技有限公司,专业仪器仪表及自动化控制设备等。主要产品有:数字电测仪表,可编程智能仪表,显示型智能电量变送器,多功能电力仪表,网络电力仪表,微机电动机保护装置,凝露控制器、温湿度控制器、智能凝露温湿度控制器、关状态指示仪、关柜智能操控装置、电流互感器过电压保护器、断路器分合闸线圈保护装置、DJR铝合金加热器、EKT柜内空气调节器、GSN/DXN-T/Q高压带电显示、干式(油式)变压器温度控制仪、智能除湿装置等。
      本公司全系列产品技术性能指标全部符合或优于 标准。公司本着“以人为本、诚信立业”的经营原则,为客户持续满意的产品及服务。
测试的同步性对结果的影响 明显在于效率测量。如果转速n、扭矩T等机械参数和电压U、电流I等电参数不在同一时间点下采集,那么根据效率计算公式计算出来的结果也是错误的。电机效率计算公式另外,对于新能源汽车,变频电机、伺服电机等需要把电机驱动器和电机进行同步测量,分析系统性能的电机,测试的同步性也是分析其实时状态下电机控制器效率与电机效率对系统影响的关键。为什么过去没有关注测试的同步性?过去测试的电机,主要是以异步电机为主,测试人员只需要测量其各个恒工况下的参数,就得到其输出性能,描绘出Tn曲线或效率曲线。
当流量小于流量时,热量表也能进行计量,但计量误差也较大。随着流量继续减小,当流量小于某一特定流量后,热量表将不进行计量。我们暂且称它为始动流量。作为总表,如果工作在始动流量以下,误差为 ;如果工作在始动流量到流量之间,误差将放大;如果工作在流量以上,误差在2%至3%之间(以2级表,量程比不大于100为例)。分表的口径一般为DN20,流量为30升每小时。在采暖过程中,设每平米的流量为2升至3升每小时。
法兰液位变送器法兰式液位变送器有双法兰和单法兰之分,单法兰液位变送器是根据压力感应原理,通过液体的密度计压力的变化而计算出当前液体的高度。单法兰液位变送器可对各种容器进行液位、密度的精度测量,有平法兰和插入式法兰两种,适用于高粘度介质或悬浮液体测量。因为上面我们提到,液位变送器其实是压力变送器在液位测量方面的应用,所以有的时候虽然用户实际测量的是液位,但也可以称之为双法兰差压变送器。差压变送器是测量变送器两端压力之差的变送器,输出标准信号(如4~2m1~5V)。
带宽、采样率和存储深度是数字示波器的三大关键指标。相对于工程师们对示波器带宽的熟悉和重视,采样率和存储深度往往在示波器的选型、评估和测试中为大家所忽视。这篇文章的目的是通过简单介绍采样率和存储深度的相关理论结合常见的应用帮助工程师更好的理解采样率和存储深度这两个指针的重要特征及对实际测试的影响,同时有助于我们掌握选择示波器的权衡方法,树立正确的使用示波器的观念。在始了解采样和存储的相关概念前,我们先回顾一下数字存储示波器的工作原理。
可见光是人眼能够感受的电磁波,经三棱镜折射后,能见到红、橙、黄、绿、青、蓝、紫七色光红外线是这些电磁波的一部分,它和可见光、紫外线、X射线、γ射线和无线电波一起,构成了一个完整连续的电磁波谱。如上图所示,波长范围是0.76μm到1000μm的电磁辐射,我们称为红外线辐射。任何温度高于零度(-273.15°C)的物体都在不停地发射红外辐射(热辐射)。人眼看不见,且不同温度对外辐射的波长不一样。对于人体而言,体内温度相对是恒定的(具体内容:肛门温度:36.6°C~38°C;口腔温度:35.5°C~37.5°C;腋下温度:34.7*C~37.3°C;耳蜗温度:35.8°C~38°C;额头温度:35.8°C~37.8°C)。
半导体生产流程由晶圆,晶圆测试,芯片封装和封装后测试组成,晶圆和芯片封装讨论较多,而测试环节的相关知识经常被边缘化,下面集中介绍集成电路芯片测试的相关内容,主要集中在WAT,CP和FT三个环节。集成电路设计、、封装流程示意图WAT(WaferAcceptanceTest)测试,也叫PCM(ProcessControlMonitoring),对Wafer划片槽(ScribeLine)测试键(TestKey)的测试,通过电性参数来监控各步工艺是否正常和稳定,CMOS的电容,电阻,Contact,metalLine等,一般在wafer完成制程前,是Wafer从Fab厂出货到封测厂的依据,测试方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上,ProbeCard另一端接在WAT测试机台上,由WATRecipe自动控制测试位置和内容,测完某条TestKey后,ProbeCard会自动移到下一条TestKey,直到整片Wafer测试完成。
有源RF和FEM的第二个关键属性是谐波行为。谐波行为由非线性器件引起,会导致在比发射频率高数倍的频率下产生输出功率。由于许多无线标准对带外辐射进行了严格的规定,所以工程师会通过测量谐波来评估RF或FEM是否违反了这些辐射要求。测量谐波功率的具体方法通常取决于RF的预期用途。对于通用RF等器件备来说,谐波测量需要使用连续波信号来激励DUT,并测量所生成的不同频率的谐波的功率。相反,在测试无线手机或基站RF时,谐波测量一般需要调制激励信号。

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