分子闪存可以存储大量的数据

来自科学家新的消息称，新型分子可以帮助超出其存储限制闪存的功能，它允许在小空间里面记录海量的数据。一种称为金属氧化物簇的物质是可以保留电荷的，并作为RAM可构成闪存用于数据单元在新的基础上，从化学工程与罗维拉我维尔吉利大学在西班牙格拉斯哥学院大学的研究人员在发表的信中显示。

　　本研究小组的13位研究人员称，多金属氧酸盐（POM）的分子可以充当MOS闪速存储器的存储节点。他们用钨合成POM金属氧化物团簇，并添加硒到自己的核心中，这种被称为掺杂过程，以创建一个新的类型的内存，他们称之为“一次写入”。
　　该研究涉及数据单元的闪速存储器的大小，因而被广泛应用于移动设备，例如智能电话，存储棒和相机的极限存储方面。