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利用激发光源发出的特征发射光照射一定浓度的待测元素的原子蒸气，使之产生原子荧光，在一定条件下，荧光强度与被测溶液中待测元素的浓度关系遵循Lambert-Beer定律，通过测定荧光的强度即可求出待测样品中该元素的含量。原子荧光光谱法具有原子吸收和原子发射两种分析方法的优势，并且克服了这两种方法在某些地方的不足。该法的优点是灵敏度高，目前已有20多种元素的检出限优于原子吸收光谱法和原子发射光谱法；谱线简单；在低浓度时校准曲线的线性范围宽达3~5个数量级，特别是用激光激发光源时更佳，但其存在荧光淬灭效应，散射光干扰等问题。
数字荧光频谱将统计后的频谱直方图各个频率和幅度对应位置的密度以不同颜色等级来演示，色彩表明了信号出现的概率。通过颜色的区别，很容易从数字荧光频谱中查看到隐藏在强信号下的弱信号。，在测量雷达发射机的脉冲信号时，隐藏在大信号下有着小的频谱泄露信号，这中状态利用扫频频谱分析功能很难观察到细致的频谱信息，难以发现小信号的干扰，如所示。利用实时频谱分析功能特有的数字荧光频谱图能够很容易发现隐藏在大信号下的小信号，如所示。
为了从频率角度说明概念，展示了一个带有来自直接变频架构的两个发送信号的示例。在这些示例中，射频位于LO的 。在直接变频架构中，镜像频率和三次谐波出现在LO的相对侧，并显示在LO频率下方。当将不同通道的LO频率设置为相同的频率时，杂散频率也处于相同的频率，如a所示。b所示为LO2的设置频率高于LO1的情况。数字NCO同等地偏移，使RF信号实现相干增益。镜像和三次谐波失真积处于不同的频率，因此不相关。
先来看看电容，电容的作用简单的说就是存储电荷。我们都知道在电源中要加电容滤波，在每个芯片的电源脚放置一个0.1uF的电容去耦。等等，怎么我看到要些板子芯片的电源脚旁边的电容是0.1uF的或者0.01uF的，有什么讲究吗。要搞懂这个道道就要了解电容的实际特性。理想的电容它只是一个电荷的存储器，即C。而实际出来的电容却不是那么简单，分析电源完整性的时候我们常用的电容模型如下图所示。图中ESR是电容的串联等效电阻，ESL是电容的串联等效电感，C才是真正的理想电容。
注意51单片机引脚的拉电流很小，不能直接驱动Q1，否则放电时间会很长。当单片机P15引脚为高电平时,电容充电，当充电到Uc时，比较器翻转，触发单片机外部中断0，通过测得的充电时间和充电电阻的大小可以计算出电容大小。原理图上图中（请参照PDF原理图），Btn1是单片机复位按钮；Btn2是校准按钮，在测量小电容时候可以随时按下清零显示；Btn3是功能切换按钮，用来在测量LCF(频率、小电容、电感)和测量电解电容之间切换。
而就技术方案而言，LoRa和NB-IOT有共同点，也各有特点及缺点：LoRa优势：相比于NB-IoT，LoRa基于Sub-GHz的频段使其更易以较低功耗远距离通信，可以使用电池供电或者其他能量收集的方式供电；LoRa信号的波长较长决定了它的穿透力与避障能力；大大的改善了接收的灵敏度，超过-148dBm的接收灵敏度使其可视通信距离可达15公里；降低了功耗，其接收电流仅14mA，待机电流为1.7mA，这大大延迟了电池的使用寿命；基于终端和集中器/网关的系统可以支持测距和。
噪声噪声是关电源自身产生一种高频脉冲串，由发生在关导通与截止瞬间产生的尖脉冲所造成，噪声的频率比关频率高的多，噪声电压的大小很大程度上与关电源的拓扑、变压器的绕制、电路中的寄生参数、测试时外部的电磁环境以及PCB的布线设计有关。基于此，纹波和噪声的区分就很好理解了。下面始讨论测量。不同示波器测试结果相差的原因如果不同示波器之间的差别很大，一般是如下几个原因：未使用20M带宽限制不同的带宽引入的噪声值不同，噪声值会直接影响Pk-Pk值测量。