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湖南盈能电力科技有限公司，专业仪器仪表及自动化控制设备等。电力电子元器件、高低压电器、电力金具、电线电缆技术研发；防雷装置检测；仪器仪表，研发；消防设备及器材、通讯终端设备；通用仪器仪表、电力电子元器件、高低压电器、电力金具、建筑材料、水暖器材、压力管道及配件、工业自动化设备销；自营和各类商品及技术的进出口。
的产品、的服务、的信誉，承蒙广大客户多年来对我公司的关注、支持和参与，才铸就了湖南盈能电力科技有限公司在电力、石油、化工、铁道、冶金、公用事业等诸多领域取得的辉煌业绩，希望在今后一如既往地得到贵单位的鼎力支持，共同创更加辉煌的明天！
下面针对某高铁通讯问题进行简要的实例讲解。总线延迟产生原因CAN总线主要制约其传输距离，由于高铁列车的车身较长通讯点较多，就会导致数据传输和响应的延迟。导线在传输数据时是存在延迟的，一般通常延迟为5ns/m，同时隔离器件的不同也会导致不同的延迟。其中还与导线材质（镀金的0.2平方米相当于1.0平方米的铜线）、CAN收发器与隔离方式有关，：光耦隔离延迟要比磁耦隔离大得多。如果CAN的重同步不能弥补传输中所产生的延迟，就会导致应答定界符的位宽变大， 终导致应答定界符在识别过程中识别出错，将隐性电平识别为显性电平，出现定界符错误。
但是本身的仪器原理也包含了终将会被时代抛弃的硬伤。大抵有以下几条：带宽有限：这是致命硬伤。前面已经提到，模拟示波器的输入信号是放大后直接控制CRT显示屏的电子偏转。虽然放大器的带宽可以越来预高，但是CRT电子的偏转速度是有限的，对于高频信号，电子的速度跟不上信号变化。当前模拟示波器带宽真的很难上去。无法存储和分析：很多老工程师非常清楚，用模拟示波器保存波形是要拿相机拍照的，如果要测幅度、周期、上升时间，只能手动去搞。
示波器的采样根据Nyquist采样定理，当对一个频率为f的带限信号进行采样时，采样频率SF必须大于f的两倍以上才能确保从采样值完全重构原来的信号。这里，f称为Nyquist频率，2f为Nyquist采样率。对于正弦波，每个周期至少需要两次以上的采样才能保证数字化后的脉冲序列能较为准确的还原原始波形。如果采样率低于Nyquist采样率则会导致混迭（Aliasing）现象。采样率SF2f，混迭失真和显示的波形看上去非常相似，但是频率测量的结果却相差很大，究竟哪一个是正确的？仔细观察我们会发现中触发位置和触发电平没有对应起来，而且采样率只有250MS/s，中使用了20GS/s的采样率，可以确定，显示的波形欺骗了我们，这即是一例采样率过低导致的混迭（Aliasing）给我们造成的像。
工业现场经常需要同时隔离RS-232与RS-485，通常是用两个隔离DC-DC搭配单独的信号隔离电路的方案，但隔离的性能存在差异性，并且占板面积较大。本文将为你介绍一种稳定可靠、应用简便的全隔离解决方案。通讯管理机的接口电路简述通讯管理机在电力系统中可以采集多个子系统的数据，通过集中和回执，完成电力系统中的数据交互。对外通常需要集成多路RS-23RS-48CAN、以太网接口等。通讯管理机应用拓扑通讯管理机对于嵌入式主控CPU的接口资源要求较高，常常需要通过各种方式来扩展通讯接口;同时电力通讯设备工作环境较为复杂，对于隔离抗干扰性能有刚性需求。
DC-DC模块因为其效率高，体积小广泛应用于各种电子产品中，在其研发、生产和检验验收阶段都需要测试其主要的技术指标，如源效应，负载效应和准确度等。在测试时，其需要一个可调的直流电源激励。以源效应为例，其测试示意图如所示。DC-DC源效应测试示意图以电科43所研制的HTR28系列DC-DC模块为例，其输入直流电压范围为16V?40V。在测试其源效应时，就需要将可调直流电源的输入从16V调节到40V，通常是采用旋转编码器来调节可调直流电源的电压输出的，在这么宽的范围内调节，调节需要一定的时间，不能直接从一个电压跳变到另一个电压，采用程控直流电源作为可调直流电源就能够很好解决这个问题。
经检测发现主要原因：设备后端comm口后端丝被烧坏。故障二6514B不机。经拆机检测发现：输入端部分元器件被烧坏，电源模块丝被烧坏。总结数字万用表故障现象，由四点主要原因造成。如下：超量程使用，频繁出现overlode。元器件老化操作规范电能质量如何避免类似故障的产生良好接地接地良好不仅可以保证仪器和操作人员的安全，还能提高测试精度，高精度仪器的测试线缆都是具有屏蔽线的，而仪器屏蔽地就是供电地线，接地良好可以使屏蔽外界对信号传输的干扰。
兰色段始变弯曲，斜率逐渐变小。红色段就几乎变成水平了，这就是“饱和”。实际上，饱和是一个渐变的过程，兰色段也可以认为是初始进入饱和的区段。在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。在图中就是想绿色段继续向上延伸，与Ic=50MA的水平线相交，交点对应的Ib值就是临界饱和的Ib值。图中可见该值约为0.25mA。由图可见，根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。