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湖南盈能电力科技有限公司，专业仪器仪表及自动化控制设备等。电力电子元器件、高低压电器、电力金具、电线电缆技术研发；防雷装置检测；仪器仪表，研发；消防设备及器材、通讯终端设备；通用仪器仪表、电力电子元器件、高低压电器、电力金具、建筑材料、水暖器材、压力管道及配件、工业自动化设备销；自营和各类商品及技术的进出口。
的产品、的服务、的信誉，承蒙广大客户多年来对我公司的关注、支持和参与，才铸就了湖南盈能电力科技有限公司在电力、石油、化工、铁道、冶金、公用事业等诸多领域取得的辉煌业绩，希望在今后一如既往地得到贵单位的鼎力支持，共同创更加辉煌的明天！
虽然企业采取“杀敌一千自伤八百”的低价策略，大幅度蚕食了廉价仪器的 市场，却始终无法打破品牌厂商对 仪器形成的垄断之势。比如，如何将5M示波器的存储深度到512M？如何将5M示波器的刷新率到1M？大数据存储存储深度可以形象地比喻成一个容器，容器的容量大小决定了能够装入多少物体，也即能存储多少数据量的波形，若存储深度足够，则能以高采样率捕获长时间波形，若存储深度不足，则只能通过降低采样率的方式来捕获长时间波形。
GPT-98/99安规测试器简易操作说明：用来示范的设备GPT-994，是1台~5VA/四合一~(的)安规测试器可ACW(交流耐压)、DCW(直流耐压)、IR(绝缘电阻)、GB(接地阻抗)测试测试器的(设定)操作，使用位于位置的"箭头键"、"飞梭"、"设置键"，以及显示屏下方对应的"功能键"箭头键和快捷键:(用于)光标的位置飞梭:(用于)改变光标位置的数值或条件设置键:(则是用于)模式切换(MANU/AUTO)、编辑/储存(EDIT/SE)、(以及)公用选单测试条件的设定，可分为MANU和AUTO两种模式MANU用来设置"个别测试条件"的，共计1组AUTO可将已设置的MANU条件，串接成可依序执行的群组~每个群组中， 多可串接16个MANU条件，同样也是1组测试线的连接:红/白线组(Banana-鳄鱼夹):用于ACW/DCW/IR测试红线~连接高压输出端子座白线~连接Return端子(小黑)红/黑线组(压线端子-鳄鱼夹):用于GB测试红线组~依线径粗细分别锁付在大红/小红端子黑线组~依线径粗细分别锁付在大黑/小黑端子经过以上介绍，相信您对GPT-98/99的操作、设置和测试线连接，已有初步的认识与了解；接着，请再跟着影片的介绍，学习各项测试条件的设置~~谢谢。
一到夏季，工程师们总会为电机过热而烦恼。但大家都知道衡量电机发热程度是用“温升”而不是用“温度”。电机测试中涉及到温度的测试主要时温升测试及环境温度测试，本文主要介绍两者的区别和。电机温升测试电机由常温（其各部分温度与环境温度相同）始运行，温度不断升高，当其高出环境温度后，一方面继续吸收热量缓慢升温。另一方面始向周围散发热量。当电机处于热量平衡装态，温度不再升高时，电机的温度与环境温度之差称之为电机温升。
在这种情况下，验证PA是否会导致发射器超出此限制需要工程师在1MHz带宽下测量不同谐波频率下的辐射。实际上，工程师们采用了一系列方法来确保PA不会违反杂散辐射要求。在研发或特性分析实验室中，工程师通常会使用频谱信号分析仪或是矢量信号分析仪直接测量杂散辐射。然而，在环境中，由于测试时间至关重要，工程师通常直接测量谐波功率并使用统计相关性来预测PA是否违反杂散辐射要求。测量调制信号的谐波需要仔细注意测量带宽，因为谐波所需的测量带宽因不同阶次的谐波而异。
对于垂直浮子流量计要保持垂直，倾角不大于20度对于水平浮子流量计要保持水平，倾角不大于20度浮子流量计周围100mm空间不得有铁磁性物体。位置要远离阀门变径口、泵出口、工艺管线转弯口等。要保持前5D后250mm直管段的要求。2.液体介质的密度变化较大也是引起误差较大的一个原因。由于仪表在标定前，都将介质按用户给出的密度进行换算，换算成标校状态下水的流量进行标定，因此如果介质密度变化较大，会对测量造成很大误差。
为了更好地接地，所以在仪器设备的中往往会预留专门的接地端子来接保护地线。接地 会产生触电危险仪器类产品AC电源端口电路中EARTH与产品金属外壳相连，一旦出现接地 时，产品金属外壳上将存在110VAC高压。C2和C3为安规电容，当失效后击穿不会短路，而是断路，确保了安全。以一个实际举例来说明下不接地线危害：故意减掉PA2000mini功率分析仪的地线，这时候仪器处于接地 的状态，机壳会带110V电压，会发生触电危险。
LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。