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湖南盈能电力科技有限公司,专业
仪器仪表及自动化控制设备等。主要产品有:数字电测仪表,可编程智能仪表,显示型智能
电量变送器,多功能电力仪表,网络电力仪表,微机
电动机保护装置,凝露控制器、温湿度控制器、智能凝露温湿度控制器、关状态指示仪、关柜智能操控装置、
电流互感器过电压
保护器、断路器分合闸线圈保护装置、DJR
铝合金加热器、EKT柜内空气调节器、GSN/DXN-T/Q高压带电显示、干式(油式)
变压器温度控制仪、智能除湿装置等。
本公司全系列产品技术性能指标全部符合或优于 标准。公司本着“以人为本、诚信立业”的经营原则,为客户持续满意的产品及服务。
为了避免这种情况发生,希望反射波尽快回到源端,也就是支 规定分支长度在1M波特率下不得大于0.3m,1M波特率是CAN的波特率,所以其他波特率时,分支长度如果也遵循0.3m规范,则可以稳定运行。“T”型网络拓扑参数如何确定分支长度IOS11898-2中分支长度的规定是在1M波特率的条件下,有些场合或许无法到很短的分支,根据不同波特率,分支长度规范可以有适当的调整。
互感器过热的情况通常表现为,电流互感器一次侧导电回路 引起的局部发热;整体介质损耗上升引起的温度整体上升;电流互感器套管缺油引起的温度分布异常。互感器过热的情况通常表现为,电流互感器一次侧导电回路 引起的局部发热;整体介质损耗上升引起的温度整体上升;电流互感器套管缺油引起的温度分布异常。
电压互感器存在局部缺陷、受潮或老化,使介质损耗增加或局部放电;由铁芯损耗引起,随着电压等级的升高,绝缘的介质损耗严重。
无校验位,8位数据位,串口时序图如所示为STM32串口外设检测到起始位的条件,当检测到下降沿(3个高电平+1个低电平)并且采样序列1和采样序列2均为0时,STM32检测到一个起始位。每个位采样16次,采样点的间隔时间为tbit/16,tbit为每个位的时间,通信波特率为115.2kbps,则tbit=1/115.2k=8.68us,则 s。STM32串口外设检测到起始位的条件下面以RSM485
PCHT的门限电平为例进行说明,当AB差分电压处于±200mV之内时,模块RXD引脚输出状态不确定。
如
电源设定输出为3.3V/1A,设输出线的电阻是.3欧,就会在导线上形成.3V压降,那么实际到达负载的电压变为3.V,这可以导致负载不能正常工作。所以需要对导线压降进行补偿,在此,对于应用了全天科技可编程
直流电源的用户就可以不用担心了,因为全天可编程电源具有远端补偿功能,远端补偿线由电源输出端连接到负载,由于远端补偿是连接到电源内的高阻抗测量电路,远端补偿线上的的电流很小,因而产生的压降可忽略不计。
功率调节器的功率变换效率测试、马达的效率测试、
电抗器的损失测试等,在电力电子领域的各个方面都被要求要有高精度的功率(电流和电压)测试。本文,着重围绕电流测试技术,将介绍电流
传感器和功率
分析仪的发技术。关于电流的测试方式功率分析仪的电流测试,一般通过直接测量方式(Fig.1)和电流传感器方式的(Fig.1)其中一种来进行。下面,将介绍一下各自的特征。Fig.1直接测量方式和电流传感器方式1.1直接测量方式直接测量方式,是把测试对象的测试线直接连接到功率分析仪的电流
端子进行测试的方式。
如何判别单、双向
可控硅?先任测两个极,若正、反测指针均不动(
万用表选电阻R*1Ω挡),可能是K或A极(对单向可控硅)也可能是TT1或TG极(对双向可控硅)。若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅。且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测,其中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极。
工程师在设计一款产品时用了一颗9A的MOS管,量产后发现坏品率偏高,经重新计算分析后,换成了一颗5A的MOS管,问题解决。为什么用电流裕量更小的器件,却能提高可靠性呢?工程师在设计的过程中非常注意元器件性能上的裕量,却很容易忽视热耗散设计,案例分析我们放到 说,为了帮助理解,我们先引入一个概念:其中Tc为芯片的外壳温度,PD为芯片在该环境中的耗散功率,Tj表示芯片的结点温度,目前大多数芯片的结点温度为150℃,Rjc表示芯片内部至外壳的热阻,Rcs表示外壳至散热片的热阻,Rsa表示散热片到空气的热阻,一般功率器件用Rjc进行计算即可。